更新時(shí)間: 2018-03-14 點(diǎn)擊次數(shù): 1690次
放射性原子核的衰變?cè)跁r(shí)間上是隨機(jī)的。因此,一個(gè)放射源在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)生衰變的原子核數(shù)圍繞其平均值成泊松分布。核探測(cè)器接收到的信號(hào)計(jì)數(shù)率也圍繞平均計(jì)數(shù)率呈泊松分布。其他隨機(jī)過(guò)程,例如一定束流轟擊靶發(fā)生的反應(yīng)數(shù)、正負(fù)電子束團(tuán)對(duì)撞時(shí)單位時(shí)間內(nèi)發(fā)生的事例數(shù)也都遵循同樣的規(guī)律。
ACE-841-100手動(dòng)脈沖發(fā)生器對(duì)于超高分辨率雷達(dá)、擴(kuò)頻通信技術(shù)以及其它許多需要寬帶輻射的應(yīng)用來(lái)說(shuō),超短脈沖發(fā)生器是十分重要的,從某種程度上來(lái)講,超短脈沖的形成技術(shù)已成為許多寬帶應(yīng)用中的核心技術(shù)。目前,有許多有關(guān)該技術(shù)的研究集中在激光二極管驅(qū)動(dòng)的GaAs光開(kāi)關(guān)上,但是這些器件還不能在小于200 ps的情況下正常工作,同時(shí),激光二極管還存在重復(fù)率和可靠性方面的問(wèn)題。另外一些產(chǎn)生高速瞬變電壓的方法還有GaAs可控硅等,但是GaAs可控硅作為一種成熟的產(chǎn)品還需一段時(shí)間。
一般,在檢測(cè)電子電路和數(shù)據(jù)獲取系統(tǒng)的性能時(shí)用脈沖產(chǎn)生器來(lái)模擬從核探測(cè)器來(lái)的信號(hào)。脈沖產(chǎn)生器信號(hào)是周期性的,它們之間的時(shí)間間隔總是一樣的。而一些較復(fù)雜的系統(tǒng)對(duì)周期性脈沖和隨機(jī)脈沖的反應(yīng)可能不一樣,特別是當(dāng)計(jì)數(shù)率接近系統(tǒng)的處理能力的極*。為了檢測(cè)電子電路和數(shù)據(jù)獲取系統(tǒng)在隨機(jī)觸發(fā)下的性能,需要用時(shí)間上隨機(jī)的脈沖信號(hào)源。
隨機(jī)脈沖產(chǎn)生器可以分為模擬式和數(shù)字式兩大類(lèi)。模擬式隨機(jī)脈沖產(chǎn)生器由隨機(jī)噪聲源加甄別器及成形電路構(gòu)成。Zener二極管是一種很‘吵鬧’的器件,特別是在其特性曲線彎曲處??梢栽谳敵龆思右粋€(gè)計(jì)數(shù)率計(jì)反饋控制甄別閾從而控制輸出頻率。
在用碼密度法測(cè)試TDC的微分非線性時(shí)需要輸入一個(gè)時(shí)間上隨機(jī)的信號(hào)。提出用電路本身的隨機(jī)噪聲產(chǎn)生隨機(jī)擊中信號(hào)。
先后用數(shù)字的方法研制了兩種隨機(jī)脈沖產(chǎn)生器。一種用單片機(jī)給出隨機(jī)脈沖間隔;第二種用偽隨機(jī)碼給出隨機(jī)脈沖。